ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Invertterikortin IGCT-moduuli
Kuvaus
| Valmistus | ABB |
| Malli | 5SHY4045L0001 |
| Tilaustiedot | 3BHB018162 |
| Luettelo | VFD-varaosat |
| Kuvaus | ABB 5SHY4045L0001 3BHB018162 Invertterikortin IGCT-moduuli |
| Alkuperä | Yhdysvallat (USA) |
| HS-koodi | 85389091 |
| Ulottuvuus | 16 cm * 16 cm * 12 cm |
| Paino | 0,8 kg |
Tiedot
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 on ABB:n integroitu hilakommutoitu tyristori (IGCT), joka kuuluu 5SHY-sarjaan.
IGCT on uudentyyppinen elektroninen laite, joka ilmestyi 1990-luvun lopulla.
Se yhdistää IGBT:n (eristetyn porttibipolaaritransistorin) ja GTO:n (porttikatkaisutyristorin) edut, ja sillä on nopea kytkentänopeus, suuri kapasiteetti ja tarvittava suuri käyttöteho.
Tarkemmin sanottuna 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001:n kapasiteetti vastaa GTO:n kapasiteettia, mutta sen kytkentänopeus on 10 kertaa nopeampi kuin GTO:n, mikä tarkoittaa, että se voi suorittaa kytkentätoiminnon lyhyemmässä ajassa ja siten parantaa tehonmuunnostehokkuutta.
Lisäksi GTO:hon verrattuna IGCT voi säästää valtavan ja monimutkaisen vaimennuspiirin, mikä auttaa yksinkertaistamaan järjestelmän suunnittelua ja vähentämään kustannuksia.
On kuitenkin huomattava, että vaikka IGCT:llä on monia etuja, tarvittava käyttöteho on silti suuri.
Tämä voi lisätä järjestelmän energiankulutusta ja monimutkaisuutta. Lisäksi, vaikka IGCT pyrkii korvaamaan GTO:n suuritehoisissa sovelluksissa, se kohtaa edelleen kovaa kilpailua muiden uusien laitteiden (kuten IGBT:n) kanssa.
5SHY4045L00013BHB018162R0001 Integroidulla porttikommutoidut transistorit|GCT (Integrated Gate kommutated transistorit) on uusi tehopuolijohdelaite, jota käytetään jättimäisissä tehoelektroniikkalaitteissa ja joka tuli markkinoille vuonna 1996.
IGCT on uusi GTO-rakenteeseen perustuva suuritehoinen puolijohdekytkinlaite, joka käyttää integroitua porttirakennetta porttikiintolevylle, puskurin keskikerroksen rakennetta ja anodin läpinäkyvää emitteritekniikkaa sekä tyristorin päälläolo-ominaisuuksia ja transistorin kytkentäominaisuuksia.
5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 käyttää puskurirakennetta ja matalan emitterin tekniikkaa, mikä vähentää dynaamista häviötä noin 50 %.
Lisäksi tämäntyyppisessä laitteessa on sirulle integroitu vapaasti pyörivä diodi, jolla on hyvät dynaamiset ominaisuudet, ja se toteuttaa sitten tyristorin alhaisen jännitehäviön, korkean estojännitteen ja vakaiden kytkentäominaisuuksien orgaanisen yhdistelmän ainutlaatuisella tavalla.
